GaN(질화 갈륨) 전력 반도체 분야의 글로벌 리더인 이노사이언스는 지난 3월19일부터 23일까지 미국 플로리다주 올랜도에서 열린 APEC(Applied Power Electronics Conference) 행사에 참가해 SolidGaN 제품인 ISG3201, 2.4kW 양방향 컨버터 데모 등 고효율 GaN 솔루션이 적용된 제품들을 선보였다고 3일 밝혔다.
하프브릿지(Half-Bridge)솔루션이 적용된 ISG3201은 2개의 100V 3.2mΩ InnoGaN과 드라이버 회로를 포함한 5×6.5×1.1mm 크기의 LGA 패키지다. △34A의 연속 전류 △Zero reverse recovery △낮은 온 저항 등의 기능을 자랑하며 스위치 노드의 전압 스파이크를 최소화한다.
또한 고주파 벅 컨버터, 클래스 D 오디오 증폭기, LLC 컨버터 및 전력 모듈에 최적화된 솔루션으로 기존 실리콘 솔루션보다 73%의 보드 공간을 절약할 수 있다.
이노사이언스의 INN100W032A GaN 전력 반도체는 3.5x2.1mm 패키지 제품으로 이번 컨처런스에 소개된 양방향 컨버터에 애플리케이션으로 사용되며 100V 3.2m옴 정격으로 DC 전류는 60A다. 동급의 FET 와 비교해 스위칭 손실과 전력 손실을 줄임으로써 뛰어난 전력 밀도와 낮은 BOM 비용을 제공하고 컴팩트한 고효율 디자인으로 EV에서 공간과 무게를 효율적으로 사용할 수 있다.
홍근의 이노사이언스 한국 지사장은 "2023년도 APEC에서는 많은 GaN 회사들이 참가했고 다양한 애플리케이션이 소개 됐다"며 "4차 산업 혁명과 새로운 애플리케이션의 출현으로 전 세계 전력 수요가 폭발적으로 증가했다. 이에 전력 장치의 배출량을 줄이고 친환경 목표 달성을 위한 더 많은 GaN제품이 사용될 것"이라고 전했다.
전자신문인터넷 구교현 기자 kyo@etnews.com
