삼성전자가 200단이 넘는 8세대 V낸드플래시 기술을 확보했다고 공식화했다. 삼성전자만의 초고단 적층 기술을 앞세워, 향후 1000단 V낸드 시대에도 시장을 주도할 것이라고 자신했다.
송재혁 삼성전자 플래시개발실장(부사장)은 8일 삼성전자 뉴스룸에 게재한 '차세대 낸드플래시가 바꿀 미래' 기고문에서 미래 낸드플래시 시장에서도 삼성전자가 주도권을 이어나갈 것이라고 자신감을 나타냈다.
송 부사장은 “이미 200단이 넘는 8세대 낸드 동작 칩을 확보한 상황”이라며 “시장과 고객 요구에 따라 적기에 제품을 선보일 수 있도록 만반의 준비를 하고 있다”고 밝혔다.
데이터를 저장하는 용도로 활용하는 낸드플래시는 단수를 높임으로써 고집적·고용량 메모리 성능을 구현할 수 있다. 현재 시장 대세는 128단으로, 최근 마이크론이 176단 낸드플래시 메모리를 업계 최초로 양산했다고 밝히면서 '단수 올리기' 경쟁에 불이 붙었다.
삼성전자는 단순 200단 이상 낸드 기술뿐 아니라 단수가 높아지면서 발생하는 칩 높이 한계에도 대응한다.
송 부사장은 “V낸드도 언젠가는 높이의 한계를 마주하게 될 것”이라면서 “삼성전자는 업계 최소 셀 사이즈를 구현한 3차원(3D) 스케일링 기술로 가장 먼저 높이 한계를 극복하는 회사가 될 것”이라고 강조했다.
3D 스케일링 기술은 셀 평면적과 높이를 모두 줄여 제품이 특정 공간을 차지하는 크기(체적)를 감소시킬 수 있다. 삼성전자 7세대 낸드는 3D 스케일링 기술로 체적을 35%까지 줄여, 타 업체 6세대와 높이가 비슷하다는 게 삼성 측 설명이다.
송 부사장은 “업계에서 유일하게 한번에 100단 이상을 쌓고 10억개가 넘는 구멍을 뚫을 수 있는 싱글 스택 에칭 기술력을 갖췄다”면서 “작은 셀 크기와 압도적 기술력 기반으로 향후 수백단 이상의 초고단 V낸드를 한발 앞서 구현할 수 있는 기술력을 확보했다”고 강조했다.
삼성전자는 업계 최소 셀 사이즈의 7세대 낸드가 적용된 소비자용 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 하반기 출시할 계획이다. 신제품은 최대 2.0Gbps 입출력 성능을 자랑한다. 데이터센터용 SSD에도 7세대 낸드를 빠르게 적용할 예정이다. 저전력 솔루션 기반으로 이전 세대 대비 전력 효율을 16% 끌어올릴 계획이다.
삼성전자는 2002년 플래시 메모리 분야에서 처음 세계 1위 자리에 올랐다. 지난해까지 19년 연속 1위 자리를 지키고 있다.
권동준기자 djkwon@etnews.com
