삼성전자는 '28나노 FD-SOI(완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터) 공정 기반 eM램(내장형 M램)'을 선보인다고 6일 밝혔다.
FD-SOI 공정과 eM램을 합친 이 솔루션은 삼성전자가 파운드리 업계에서 처음 시도하는 것이다. 고객사의 설계 간편화, 저전력 칩 개발에 도움을 주는 솔루션으로 파운드리 시장 점유율 확대를 노린다.
내장형(임베디드) 메모리는 사물인터넷(IoT) 기기 등 소형 전자제품에 사용되는 MCU(마이크로 컨트롤러)나 SoC 같은 시스템 반도체에서 정보 저장 역할을 하는 메모리 모듈이다. 이 모듈에는 주로 플래시를 기반으로 한 'e플래시'가 사용된다. e플래시는 데이터를 기록할 때 먼저 저장했던 기존 데이터를 삭제하는 과정을 거치기 때문에 속도와 전력효율이 단점으로 지적됐다.
이번에 삼성전자가 선보인 M램은 전원을 꺼도 데이터가 유지되는 플래시 속성을 지니면서도 D램 수준으로 정보 처리 속도가 빠른 메모리 반도체다. 데이터 기록시 삭제 과정이 필요없고 기존 e플래시보다 약 1000배 빠른 쓰기 속도를 구현한다.
솔루션은 구조가 단순해 기존 로직 공정 기반 설계에 최소한의 레이어를 더하는 것만으로 구현할 수 있다. 고객사 설계 부담을 줄이고 생산비용도 낮출 수 있다는 게 삼성전자 측 설명이다.
솔루션에 도입한 FD-SOI 공정은 실리콘 웨이퍼 위에 절연막을 씌워 완성된 칩 전력 소모를 최소화할 수 있는 공정이다. 최근 저전력 IoT 반도체가 각광받으면서 NXP, ST마이크로일렉트로닉스, 모빌아이 등 팹리스 업체가 이 공정을 사용한 칩을 설계하고 있다. FD-SOI 공정과 eM램을 합친 기술은 삼성전자가 업계에서 처음 시도한다.
삼성전자 관계자는 “전력을 적게 소모하면서 속도도 빠르고 소형화가 쉬우면서 가격까지 저렴한 차세대 내장 메모리”라며 “SoC에 이 제품을 결합해 파운드리 사업을 강화할 것”이라고 밝혔다.
삼성전자는 6일 기흥캠퍼스에서 양산 제품 첫 출하를 기념하는 행사를 가진다. 또 연내 1GB eM램 테스트칩 생산을 시작하는 등 내장형 메모리 솔루션을 지속 확대해 파운드리 경쟁력을 강화할 방침이다.
강해령기자 kang@etnews.com
