ETRI, 고효율 뇌신경 자극전극 개발

한국전자통신연구원(ETRI)은 정상돈 시냅스소자창의연구실 박사팀이 금 소재 다공성 나노구조체에 이리듐(Ir) 산화물을 덧씌워 기존 소재보다 성능을 대폭 높인 신경전극 구조를 만들었다고 1일 밝혔다.

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한국전자통신연구원(ETRI) 정상돈 박사팀이 개발한 새 신경전극.

신경전극은 뇌신경에 자극을 주거나 고감도 신경 신호 검출에 쓰인다. 단일 신경에만 작용하도록 전극 크기를 줄이는 것이 중요하다.

연구팀은 내구성이 뛰어난 금으로 50나노미터(㎚) 구멍을 가진 다공성 구조체를 만들어 기존 평면구조보다 신경에 닿는 표면적을 넓혔다. 여기에 이리듐 산화물을 코팅, 전하 주입 효율을 25%까지 끌어올렸다. 기존의 평면 구조 효율은 15% 이하다.

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다공성 금 나노구조체-이리듐 산화물의 투과전자 현미경 이미지.

새 전극은 유연전극 형태로 뇌에 삽입돼 뇌졸중 후유증 개선에 활용할 수 있다. 또 뇌 상호작용 효율을 높여 뇌·컴퓨터 양방향 인터페이스 구현도 가능하다. 연구팀은 이번에 개발한 기술을 5년 이내에 상용화할 계획이다.

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새 뇌신경세포 자극기능 신경전극

정상돈 박사는 “뇌신경세포 전극은 뇌 과학 연구의 필수 선결 과제”라면서 “뇌질환자의 기능 회복은 물론 고신뢰성 뇌·컴퓨터 양방향 인터페이스 구현, 분산형 인공지능(AI) 시스템 개발까지 각종 기술 개발의 시작점이 될 것”이라고 말했다.


대전=김영준기자 kyj85@etnews.com


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