르네사스일렉트로닉스는 110㎚ 미세 공정을 적용한 8Mb S램 ‘RMLV0816B’과 ‘RMLV0808B’ 시리즈를 순차적으로 출시한다고 18일 밝혔다. 지난해 12월 동일 공정의 4Mb 제품을 선보인 지 1년 만에 새로운 모델을 내놓았다.
이번 시리즈는 총 5개 제품으로 150㎚ 공정을 적용한 기존 제품과 성능이 유사할 정도로 제품 신뢰도가 높다. 메모리 셀에 커패시터를 연결해 구조적으로 소프트에러 발생을 차단했다. 기존 S램이나 사용자 시스템 내부에 삽입한 ECC(Error Correcting Code) 회로로 소프트에러를 해결하는 데 한계가 있었다. 시스템 프로그램이나 과금 데이터 등 중요 정보를 저장하는 S램에 소프트에러 대책이 무엇보다 중요하다고 회사 측은 설명했다.
대기전류가 2μA에 불과해 전력소비가 적은 것도 장점이다. 전원이 연결된 상태에서 데이터 저장상태를 유지하는 S램 특성을 고려했다. 신제품 가격은 한개당 1040엔으로 제품 양산은 내년 1월부터 순차적으로 이뤄진다.
회사 관계자는 “르네사스일렉트로닉스 S램은 지난해 세계 점유율 1위”라며 “앞으로 신제품 판매를 확대하는 동시에 16Mb 제품도 새로 개발해 제품군을 늘릴 것”이라고 말했다.
유창선기자 yuda@etnews.com
