SK하이닉스, 차세대 스마트폰에 쓰이는 6Gb LPDDR3 모바일 D램 개발...내년 초 양산 목표

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SK하이닉스가 차세대 스마트 기기에 쓰이는 6Gb LPDDR3(Low Power DDR3) 개발에 성공했다. 고부가 모바일 메모리 시장에서 더욱 강력한 경쟁력을 확보할 것으로 기대된다.

SK하이닉스(대표 박성욱)는 20나노급 미세공정을 적용한 6Gb LPDDR3 샘플을 생산해 고객사에 공급했으며, 내년 초 양산에 돌입한다고 30일 밝혔다.

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이 제품은 저전력·고용량이 장점인 모바일 메모리 솔루션이다. 4단 적층하면 3GB 4Gb의 고용량을 하나의 패키지로 구현할 수 있다. 종전 4Gb를 6단 적층한 제품보다 동작 전력 및 대기 전력 소모가 30% 줄고, 패키지 높이가 낮아 얇은 스마트 기기를 구현할 수 있다. 초저전압인 1.2V에서 작동 가능해 첨단 스마트 기기에 적합한 것으로 평가된다.

1866Mbps로 32개의 정보출입구(I/O)에서 싱글 채널로 최대 1초에 7.4GB의 데이터 처리 속도를 구현했다. 듀얼 채널로는 초당 14.8GB의 용량을 처리할 수 있다. 두 개의 패키지를 수직으로 올린 `패키지온패키지`로 만들어 모바일 기기에 쓸 수 있어 회로 설계가 자유롭다.

현재 모바일 D램은 1~2GB 제품이 주류지만, 애플리케이션프로세서(AP) 성능 개선으로 내년 3GB 시장이 급성장할 것으로 예상된다. SK하이닉스는 지속적으로 모바일 메모리 기술을 고도화하고, 제품 포트폴리오를 강화해 시장에 적극 대응한다는 전략이다.

진정훈 SK하이닉스 마케팅본부장(전무)은 “지난 6월 세계 최초로 고용량인 8Gb LPDDR3를 출시한 데 이어 20나노급 6Gb LPDDR3까지 개발하면서 고용량 모바일 제품 경쟁력을 강화했다”며 “6Gb LPDDR3 기반 3GB 메모리 솔루션으로 스마트 기기 시장을 선도할 것”이라고 말했다.


이형수기자 goldlion2@etnews.com


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