고부가 메모리 선제 양산
삼성전자가 중국 시안 사업장 이후 당분간 메모리 반도체 제조 시설을 확대하지 않을 계획이다. 국내 메모리 반도체 라인 신규 설비 투자도 불투명한 것으로 보인다.
전동수 삼성전자 메모리사업부장(사장)은 28일 국회 신성장산업포럼에 참석해 “중국 시안 공장 외에 (당분간) 추가 신규 투자 계획은 없다”고 말했다.
삼성전자는 국내 기흥·화성 사업장, 미국 오스틴에 메모리 반도체 공장을 가동 중이며, 중국 시안에 메모리 낸드플래시 구축하고 있다. 전 사장은 “경기도 화성 부지에는 공장을 지을 만한 여력이 없고, 이미 4개 공장을 보유하고 있다”며 추가 투자가 불필요한 상황이라고 설명했다. 메모리 반도체 치킨게임 이후 시장이 안정화되는 추세여서 과거처럼 대규모 투자를 통해 양산 경쟁을 벌일 이유가 없기 때문이다.
삼성전자는 대신 3D 낸드플래시와 LP DDR4 모바일 D램 등 고부가가치 제품을 선제 양산하는 방향으로 사업 변화를 꾀할 것으로 예상된다. 전 사장은 “현재 낸드플래시 중 3분의 1이 솔리드스테이트드라이브(SSD) 시장 수요고, 이 가운데 노트북PC 등이 90% 이상 차지한다”면서 “하지만 앞으로는 서버 시장이 확 커질 것”으로 전망했다. 이 회사는 최근 3차원 적층구조 형태의 3D 낸드플래시 양산에 착수하며 서버 시장 공략을 선언한 바 있다.
D램 사업에서는 고성능 스마트기기 시장에 대비해 LP DDR4 개발에 집중한다. LP DDR4는 국제반도체공학표준협의기구(JEDEC)가 규정한 차세대 모바일 D램 규격이다. 올해 상용화한 LP DDR3와 비교해 사용 전압은 1.2V에서 1.1V로 낮고 전력 소모량도 30% 이상 적다. 배터리 소모를 줄이면서도 대역폭(BW)은 17GB/s 성능을 내는 게 목표다. 현재 세계 시장에서 모바일 D램은 LP DDRx와 와이드I/O 두 개 기술 규격이 경쟁하고 있다. 와이드I/O 규격은 데이터 전송 채널을 늘려 전송 속도를 높이고 전력 소모량을 줄이는 기술이다. 삼성전자는 당분간 대형 컴퓨터 등 틈새 시장용으로 와이드I/O 기술을 개발할 계획이다.
전 사장은 “비용 등 여러 가지 문제 때문에 LP DDR4 규격을 우선 상용화한뒤 스마트폰에 초고선명(UHD) 영상 스트리밍 등이 도입되는 약 2년 후 와이드I/O 기술을 선보일 것”이라고 말했다.
오은지기자 onz@etnews.com
