파나소닉, 차세대 메모리 `Re램` 2012년 양산 계획 발표

　파나소닉이 차세대 메모리로 기대를 모으는 저항변화 메모리(Resistive RAM, 이하 Re램)의 양산 계획을 발빠르게 내놨다.

　니혼게이자이는 파나소닉이 2메가비트(Mb) 용량의 Re램 시제품을 올해 말 출시하고, 내년부터는 도야마현의 도나미공장에서 양산에 들어간다고 17일 보도했다. 이 신문은 Re램 양산 계획 발표는 파나소닉이 세계 최초라고 밝혔다.

　파나소닉이 개발 중인 Re램은 현재 휴대폰이나 디지털카메라 등에 쓰이는 플래시메모리에 비해 처리 속도가 10배 정도 빠르고 전력 소비도 크게 줄일 수 있다. Re램은 전자 제품의 두뇌 격인 CPU나 MCU의 데이터 저장 역할을 한다.

　주로 영상가전이나 의료기기 등에서 사용된다. 파나소닉 측은 Re램을 LCD TV와 블루레이 플레이어 MCU용으로 사용할 예정이다. 이 회사는 Re램을 사용한 LCD TV의 대기 전력은 기존 제품에 비해 3분의 1 수준이라고 설명했다.

　

　<용어 설명> Re램

　전기적 저항 특성이 외부 전압이나 전류에 의해 변화하는 원리를 이용한 차세대 비휘발성 메모리로 두 개의 금속 전극 사이에 절연막을 삽입한 구조를 갖는다. 휴대폰이나 디지털카메라, MP3플레이어 등에 사용 가능하며, 향후 D램과 하드디스크 드라이브의 역할 대체까지 기대된다.

장동준기자 djjang@etnews.co.kr