르네사스, LTE 3중모드 베이스밴드 칩 발표

　르네사스전자가 4세대(G) 이동통신인 롱텀에벌루션(LTE)을 지원하는 3중 모드 베이스밴드 칩을 선보였다. 독자적으로 개발한 최신 모뎀 기술과 지난해 11월 2억달러에 인수한 노키아의 무선모뎀 사업부 기술을 결합한 첫 작품이다.

　8일(현지 시각) EE타임스 등 주요 외신에 따르면 르네사스전자는 LTE와 3세대(G) 이동통신인 HSPA+, 2세대(G) 이동통신인 GSM 등 3중 모드를 지원하는 베이스밴드 칩 ‘SP2531’을 출시한다고 밝혔다. 특히 이 제품은 고주파 트랜시버 IC와 고전압 증폭기, 전력관리칩 등을 통합 지원함으로써 웹 브라우징과 스트리밍 등 고성능을 요구하는 이른바 ‘컨버전스’ 시장을 겨냥했다. FDD-LTE와 중국의 4G 표준인 TD-LTE 환경에서 데이터 전송 속도 하향 100Mbps, 상향 50Mbps를 각각 구현한다. HSPA 환경에서는 각각 하향 42Mbps, 상향 11.5Mbps급의 속도를 지원한다. 이와 함께 안드로이드·미고·심비안·리눅스·윈도모바일 등 다양한 운용체계(OS)에 맞게 설계됐다. 진-마리 롤랜드 CTO는 “LTE 시장에서 베이스밴드 칩 선두 업체가 되는 것이 목표”라고 말했다. 르네사스는 내달 시제품을 선보인 뒤 올 하반기 양산에 들어갈 계획이다.

서한기자 hseo@etnews.co.kr