하이닉스, 내년 중반 20나노 낸드플래시 양산

하이닉스가 내년 중반 20나노 플래시 메모리를 양산한다. 20나노 플래시는 휴대폰이나 스마트패드(태블릿PC) 등에 사용되며, 26나노 플래시에 대비해 25% 정도 웨이퍼 산출량이 높아지게 된다.

권오철 하이닉스반도체 사장은 “지난 8월부터 양산에 들어간 26나노 64기가비트 낸드플래시가 성공적으로 출하되고 있다”며 “내년 중반께는 20나노 제품을 양산할 계획”이라고 17일 밝혔다.

권 사장은 “D램 제품은 하이닉스가 미세화를 선도해왔지만 낸드 제품은 지난 1, 2년간 경쟁사보다 뒤처졌던 것이 사실”이라며 “26나노 양산 이후부터는 기술 측면에서도 선두업체와의 기술격차를 크게 줄였다고 생각한다”고 덧붙였다.

하이닉스는 30나노급 낸드플래시 개발 및 양산에서는 경쟁사에 비해 6개월 가까이 뒤졌지만 26나노 제품에서는 거의 1분기 이내로 격차를 좁혔다. 20나노 제품은 경쟁사와 거의 같은 시기에 양산품을 내놓을 수 있을 것으로 기대하고 있다.

하이닉스는 지난 2분기 말 기준으로 32나노 이하 낸드플래시 비중이 전체의 30%대 초반에 그쳤지만 8월부터 26나노 제품을 양산하면서 지난 3분기 말 기준으로는 50%를 넘어섰다. 4분기 말에는 70% 수준에 도달할 것으로 예상하고 있다.

하이닉스는 지난 2007년 낸드플래시 점유율이 19%에 이르렀으나 이후 시장 악화로 낸드플래시 주력 생산라인인 200㎜ 팹을 잇달아 폐쇄하면서 지난 1분기에는 한 자릿수 점유율로 떨어졌다.

300㎜ 팹 기준으로 삼성전자가 월 30만개, 도시바가 월 24만개 낸드플래시 생산물량을 보유했지만 하이닉스는 현재 7만개 정도다. 하이닉스는 연말까지 8만개로 늘린다는 계획이다. 다만 권 사장은 낸드플래시 투자 확대에 대해서는 “시장 여건과 경쟁력 등을 종합적으로 감안해 진행할 것”이라며 “내년 투자 금액은 아직 정해지지 않았다”고 신중한 입장을 나타냈다.

하이닉스는 올해 D램 생산설비를 낸드로 전용한 것(3000억원 상당)을 포함할 경우 약 1조원을 낸드플래시 분야에 투자했다.

유형준기자 hjyoo@etnews.co.kr