美 국방성, 차세대 메모리 STT-램 2단계 개발사업 착수

미 국방부가 광범위한 산학협력을 통해 차세대 메모리로 각광받는 ‘STT램’ 상용화 2단계 프로젝트에 착수했다.

　21일 업계 및 EE타임스 등 외신에 따르면 미 국방부 차세대연구프로젝트원(DARPA)은 최근 민간 개발업체인 미국 그랜디스와 STT램 2단계 개발 계약을 체결했다. 그랜디스는 860만달러를 지원받아 STT램 상용화 연구를 진행하게 된다. STT램은 차세대 비휘발성 메모리중 동작속도가 가장 빠르고 전력 소모도 획기적으로 줄일 수 있는 제품으로 꼽힌다. 그랜디스는 지난 2008년부터 2년간 600만달러를 지원받아 1단계 연구개발(R&D) 과제를 수행해왔으며 한국의 하이닉스와 STT램 기술 라이선스 및 공동 개발 계약을 맺기도 했다.

　특히 STT램 개발 사업은 폭넓은 산학협력 체계를 구축해 주목된다. 미국 버지니아대·알라바마대·윌리엄앤메리칼리지 등이 힘을 합치고 미국 국립기술표준원(NIST)과 미 해군연구소(NRL) 등도 참여할 예정이다.

　이번 2단계 개발 사업은 STT램의 물질과 공정 연구를 비롯해 아키텍처와 회로 블록 등에 이르기까지 광범위한 범위로 이뤄진다. 또 STT램 통합 메모리 어레이에 대한 테스트와 인증도 포함한다.

　STT램은 10나노이하 극미세 공정에서 구현할 수 있는 거의 유일한 차세대 비휘발성 메모리로 주목받고 있다. 현존하는 D램은 물론 S램과 45나노대 플래시 메모리, 궁극적으로는 낸드플래시 메모리까지 대체할 수 있는 기술로 꼽히기도 한다.

서한기자 hseo@etnews.co.kr