DDR3 D램 시장 `승세 굳히기`

　 삼성전자·하이닉스반도체가 2Gb 대용량 제품과 40나노급 공정 기술을 앞세워 DDR3 D램 시장 주도권 굳히기 전략에 들어간다.

23일 업계에 따르면 삼성전자·하이닉스반도체는 1Gb DDR3 D램 고정거래가격이 점차 하락하면서 1Gb DDR2 D램과 가격격차를 보이지 않음에 따라 미래 수익성을 제고하는 전략으로 DDR3 D램 주력 제품의 용량을 내년 목표로 기존 1Gb에서 2Gb로 전환키로 했다.

D램익스체인지에 따르면 지난 22일 현재 1Gb DDR2 D램(128Mx8 800㎒)의 고정거래가격은 1.16 달러인 데 반해 1Gb DDR3 D램(128Mx8 1066㎒)의 고정거래가격은 1.25 달러로 이달 초 대비 가격 변동은 없지만 양 제품간의 가격폭은 점차 줄어드는 추세다.

특히 양사는 올 하반기 40나노급 공정으로 2Gb 이상의 대용량 DDR3 D램 제품을 양산, 원가경쟁력을 바탕으로 차기 DDR3 D램 시장의 주도권을 확실히 다질 계획이다. 50나노급 공정에서 40나노급으로 전환하면 제품 생산성이 약 50% 이상 증가하기 때문에 엘피다·마이크론 등 후발 D램 업체의 반격을 사전 차단하는 효과가 있다.

삼성전자는 지난해 9월 56나노 2Gb DDR3 D램 양산에 들어간 데 이어 올 3분기 46나노 2G DDR3 제품을 주력 D램 제품으로 양산하는 등 대용량 DDR 3 D램 시장 선점에 나섰다. 이 회사는 또, 지난 1월 개발한 50나노급 4Gb DDR3 D램 시제품을 생산, 양산 시기를 저울질 하고 있다.

하이닉스반도체도 54 나노 2Gb DDR3 D램을 지난 4월부터 본격 양산, 생산량을 늘리고 있다. 이 회사는 또한 44나노 2Gb DDR3 제품을 올 3분기 주력제품으로 삼는 한편, 4분기엔 44나노 1Gb DDR3 제품을 양산,원가 경쟁력을 높인다. 한편 반도체시장 조사기관인 IDC에 따르면 세계 DDR3 D램 시장은 비트 기준으로 전체 D램 시장에서 2009년 29%, 2011년 75% 규모로 급 성장하고, DDR3 D램 중 2Gb 비중도 각각 2009년 하반기 3%, 2011년 33% 차지할 것으로 전망, 대용량 제품 비중이 늘어나고 있다.

안수민기자 smahn@etnews.co.kr