삼성전자는 4일 세계 최초로 40나노급 DDR2 D램을 개발했다고 공시했다.
삼성전자는 올해 3분기 2기가 DDR3 양산으로 D램 40나노 시대를 선도한다는 계획이다.
이를 통해 50나노 대비 약 60% 생산성 증가로 경쟁 우위를 확보한다는 방침이다.
한편 삼성전자는 2010년부터 40나노 제품을 본격 양산 D램 시장을 견인할 것이라고 밝혔다.
전자신문인터넷 조정형기자 jenie@etnews.co.kr
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