삼성전자가 세계 최초로 50나노급 공정을 적용한 업계 최대용량 4기가비트(Gb) DDR3 D램을 개발했다.
삼성전자는 지난해 9월 50나노 공정 2Gb DDR3 D램을 처음 개발한 데 이어 5개월 만에 두 배 용량인 4Gb DDR3 D램 제품을 내놓았다고 29일 밝혔다.
삼성전자가 선보인 4Gb DDR3 D램은 서버용 16Gb RDIMM·워크스테이션과 데스크톱PC용 8Gb UDIMM·노트북PC용 8Gb SODIMM 등 대용량 모듈 개발에 적용된다. 패키지 적층 기술(DDP:Double Die Package) 적용 시 32Gb 모듈 개발도 가능하다는 장점이 있다.
4Gb DDR3 D램엔 저전력 설계 기술도 적용돼 1.35V에서 최대 1.6 (초당 1600Mb)의 데이터 처리 속도를 구현, 기존 DDR3 D램 1.5V 작동 대비 20% 정도 성능이 향상됐다.
이번 개발의 의미는 삼성전자가 세계 D램 시장에서 절대적인 기술력 우위을 다시 한번 과시했다는 점이다. 지난해 9월 50나노 공정 2Gb DDR3 D램을 최초 개발한 데 이어 불과 5개월 만에 두 배 용량인 제품을 개발한 것이다. 이를 계기로 삼성전자는 D램 업계에서 가장 많은 50나노 D램 제품군을 확보한 것으로 평가된다. 삼성은 50나노 공정의 D램 제품군으로 DDR3 4Gb·2Gb·1Gb·512Mb와 DDR2 1Gb·512Mb 등을 보유, 다양한 고객 요구에 더욱 유연하게 대처할 수 있게 됐다.
삼성전자는 다가올 최대용량 D램 시대에서 시장 우위를 선점하는 발판도 마련했다. IDC는 전체 D램 시장에서 DDR3 D램 시장 규모가 비트 기준으로 올해 29%, 2011년 75%를 차지할 것으로 예측했다. 이 같은 시장 확대는 DDR3 D램이 DDR2 D램 시장 수요를 잠식할 것으로 예측되기 때문이다.
삼성전자는 4Gb DDR3를 활용하면 공정과 제조원가 측면뿐만 아니라 전력 소비 측면에서 더 큰 강점을 발휘, 서버 시장에서 강력한 시장 입지를 구축할 것으로 기대했다. 일례로 16Gb D램 모듈을 제작하면 4Gb D램 36개로 제작해 2Gb D램 대비 40% 이상 전력 소비를 절감하고 모듈 크기도 절반 가까이 줄어든다.
삼성전자 관계자는 “데이터센터와 같이 많은 서버를 설치하는 곳엔 최대용량·저전력 메모리를 탑재하면 전기료를 줄이는 1차 효과뿐만 아니라 서버 설치·유지 보수 비용 절감과 공간 절약 등 2차적인 경비 절감 효과도 볼 수 있게 된다”며 “4Gb D램 수요는 더욱 증가할 것”으로 전망했다.
그렇지만 삼성전자는 4Gb DDR3 D램 양산 일정을 확정짓지 못했다. 지난해 50나노 2Gb DDR3 D램을 개발한 지 1달 만에 양산에 들어간 점을 비춰볼 때 매우 대조적이다. 삼성전자 관계자는 “반도체 시황이 현재 불투명한 탓에 시장 상황에 맞춰 4Gb DDR3 양산 시점을 결정한다”고 말했다.
안수민기자 smahn@etnews.co.kr
