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디엔에프, 메모리 반도체 관련 특허취득

디엔에프는 고집적 반도체 소자 제조를 위한 고유전 물질의 지르코늄 산화물 박막을 제조할 수 있는 방법에 대해 특허를 취득했다고 12일 공시했다.

디엔에프는 해당기술을 메모리 반도체 DRAM의 케패시터 및 게이트 절연막의 고유전 물질로 사용할 계획이다.

전자신문인터넷 조정형기자 jenie@etnews.co.kr

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