1000배 빠른 플래시 메모리 등장

　현존하는 메모리 반도체보다 1000배 이상 효율적인 메모리 기술이 나왔다.

31일 미국 애리조나대 응용나노학센터(CANi)가 독일 취리히 연구센터와 공동으로 메모리 반도체의 물리적 저항을 획기적으로 줄이는 새로운 메모리 반도체 기술 ‘PMC(Programmable Metallization Cell)’를 개발했다고 PC월드가 31일 보도했다.

이 기술이 상용화할 경우, USB드라이브·디지털카메라·MP3플레이어·노트북에 사용되는 메모리 용량이 획기적으로 증가할 것으로 기대된다.

CANi는 제한된 공간에 많은 용량을 저장하기 위해 원자 간 간격이 좁아질수록 높아지는 저항과 열을 나노 기술로 극복했다. CANi는 나노 기술을 활용, 분자 내 이온이 스스로 움직일 수 있도록 함으로써 고효율 메모리를 만드는 비법을 찾은 것.

애리조나대 마이클 코지키 CANi 센터장은 “우리는 높은 저항을 낮은 저항으로 바꾸기 위해 전극 사이의 바이러스만한 물질을 이동시키는 기술을 사용했다”면서 “무엇보다 기존 메모리 반도체 재료를 그대로 사용했기 때문에 추가 비용이 들지 않는다는 점이 큰 장점”이라고 강조했다.

PMC 기술을 바탕으로 한 상용화 제품은 18개월 이내 출시될 것으로 기대되며 마이크론·삼성전자· 소니·IBM 등 유명 반도체 업체들이 관심을 보였다고 PC월드는 덧붙였다.

류현정기자@전자신문, dreamshot@