IBM­·TDK, M램 공동개발 나섰다

　IBM과 TDK가 마그네틱 램(M램) 공동 개발에 나섰다고 PC월드가 21일 보도했다. 두 회사는 칩셀에 많은 데이터를 저장할 수 있도록 한 ‘스핀 모멘텀 트랜스퍼’ 기법을 공동 연구, 대용량 고성능 M램 개발 기반을 마련했다고 설명했다.

차세대 메모리로 주목받고 있는 M램은 아직까지는 용량이 작아 PC용으로 쓰기엔 부족한 것으로 평가받고 있으며, 주로 내장형 컨트롤 시스템에만 쓰이고 있다. IBM과 TDK 측은 “M램 용량을 크게 늘려, 휴대폰 및 PDA 제조업체들의 구매 의사를 확실히 얻어내겠다”고 말했다. IBM은 한때 인피니언과 제휴를 맺는 등 M램 개발에 10년 넘게 투자해왔다.

M램은 기존 메모리의 전기신호를 자기신호로 바꾼 것으로 전원을 차단해도 저장한 정보를 잃어버리지 않는 플래시메모리의 장점과 읽기 쓰기가 빠른 D램의 장점을 모두 지녀 차세대 메모리로 주목받고 있다. 모토로라에서 분사한 프리스케일이 지난해 7월 4Mb M램 칩을 첫 생산하는 데 성공했다.

강병준기자@전자신문, bjkang@