하이닉스, 60나노 1기가 모바일D램 세계 첫 개발

　하이닉스반도체(대표 김종갑 www.hynix.co.kr)는 세계 D램업계 최초로 모바일D램에 60나노대 공정을 적용, 세계에서 가장 작고 빠른 1Gb(기가비트) D램<사진> 개발에 성공했다고 12일 밝혔다.

60나노급 공정으로는 세계 최초로 개발된 이 제품은, 크기가 획기적으로 줄어든데다 200㎒의 최고속 동작 속도를 구현,

휴대폰 뿐 아니라 다양한 초소형 전자기기에 적용이 가능하다. 모바일D램은 현재 1Gb급 용량이 최대로 삼성전자가 80나노 공정을 채택한 166㎒급 속도를, 미국 마이크론은 78나노 공정으로 167㎒ 속도를 실현한 제품을 개발해 놓고 있다.

하이닉스가 개발한 모바일D램은 최대 200㎒로 동작하고 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 최대 초당 1.6GB(기가바이트)가량의 데이터를 처리할 수 있는 최고속 메모리로, 전력 소비를 최소화할 수 있도록 설계돼 많은 양의 데이터를 보다 빠르게 처리하면서도 배터리 소모는 최소한으로 유지할 수 있다.

또 이 제품은 하이닉스반도체의 ‘원 칩 솔루션’ 기능을 갖추고 있어, 탑재되는 기기의 사양에 맞춰 데이터 처리 속도 및 방식을 하나의 칩에서 변경해 사용할 수 있다.

이 회사 김정수 상무는 “이 제품의 양산은 내년 1분기부터 시작할 예정”이라며 “이 제품을 포함한 모바일D램 라인업을 강화해 현재 전체 D램 매출의 5%수준에 불과한 모바일D램의 비중을 2010년까지 15%로 늘릴 것”이라고 밝혔다.

모바일 D램이란 주로 휴대폰에 탑재되는 메모리로, 휴대폰의 배터리 수명을 감안해 저전력으로 설계되는 것이 특징이다. 일반적으로 컴퓨터에 장착되는 메인 메모리 사용 전력에 비해 최소 1/100 수준으로 설계된다. 이 같은 특수 설계로 인해 메인 메모리에 비해 상대적으로 높은 가격에 판매되는 고부가가치 제품이다.

심규호기자@전자신문, khsim@