삼성전자(대표 윤종용)는 50나노급 1기가 DDR2 D램<사진>이 인텔로부터 인증을 획득했다고 19일 밝혔다.
이번 인증은 50나노급 D램으로는 업계 최초인데다 DDR2 제품 중 최고속인 800Mbps(초당 800Mb 데이터 처리) 제품에 양산 가능한 수준의 제품 특성을 확보했음을 공인받았다는 데 의미가 있다.
1기가 DDR2 D램을 50나노 공정으로 양산하면 80나노급보다 2배, 60나노급보다 1.5배 이상 생산성이 향상돼 경쟁력이 크게 높아진다. 삼성전자는 1기가 DDR2 D램을 내년 상반기부터 50나노로 양산 예정이며 DDR2뿐만 아니라, DDR3·그래픽·모바일 등 전체 D램 제품군으로 확대 적용할 계획이다.
이승백 삼성전자 부장은 “50나노급 D램 최초 인증으로 삼성전자의 차세대 D램 기술이 절대 우위에 있음을 다시 한 번 증명했다”며 “삼성전자는 올해 60나노급, 내년 50나노급 1기가 D램을 타사보다 먼저 양산할 계획으로, 원가경쟁력 확보를 통해 1기가 D램 시장에서 절대 경쟁 우위를 지켜 나갈 것”이라고 말했다.
심규호기자@전자신문, khsim@
