엘피다, 선폭 70나노 휴대폰용 D램 5월 출시

　엘피다메모리가 회로 선폭 70㎚ 휴대폰용 D램을 오는 5월 중순부터 출시한다.

　2일 니혼게이자이신문에 따르면 엘피다는 지난해 12월 히로시마 공장에서 세계 최초로 선폭 70㎚ D램 생산을 개시한데 이어 5월부터는 휴대폰용 70㎚ D램을 생산한다.

　생산하는 D램은 휴대폰이나 휴대 전자기기용 저소비 전력 모델로 우선 512Mb 제품을 출하하고 조만간 휴대폰용으로 1G D램도 양산화할 계획이다. 앞서 엘피다는 70㎚ 공정으로 서버 및 PC용 1G D램을 3월 초에, 512Mb를 3월 말 각각 출하했다.

　D램은 선폭 90㎚에서 70㎚로 미세화할 경우 반도체 칩 면적이 축소돼 실리콘 웨이퍼 1장에서 뽑아내는 반도체 개수가 60% 늘어난다. 미세화를 통한 원가 절감으로 한국 및 대만업체들의 설비투자 공세에 대응하겠다는 게 엘피다의 전략이다.

　회사 측은 “70㎚ 칩은 90㎚ 칩과 비교해 동작 전류가 40% 절감되며 소비전력 및 발열량도 획기적으로 줄어 든다”고 밝혔다.

　이와 함께 엘피다는 PC 및 서버용에서는 일본에 이어 대만에서도 오는 7∼9월 사이에 70㎚ 모델 양산을 개시한다. 생산은 파워칩테크놀로지와의 합작 공장인 렉스칩일렉트로닉스에서 담당하게 된다.

명승욱기자@전자신문, swmay@