엔비디아, TSMC 65나노 임베디드D램 채택

　엔비디아는 대만 TSMC가 개발한 65나노 임베디드D램을 모바일용 그래픽칩 신제품에 탑재키로 계약을 맺었다고 EE타임스가 7일 보도했다.

　TSMC의 65나노 임베디드D램은 90나노에 이은 후속모델로 2006년 2분기 처음 출하됐으며 이번이 첫 공급 계약이다.

　이 제품은 반도체 셀과 매크로의 크기를 이전 모델보다 50% 가까이 줄인 것이 가장 큰 특징이다. 셀 크기는 S램의 4분의 1에도 못미치며 매크로 밀도 범위는 4∼256Mb다. 구리 저유전율 인터커넥트와 니켈규화물(NiSi) 트랜지스터 인터커넥트를 사용한 10개 금속 층 위에 설계됐으며 전력대기모드, 부분적인 전원차단 등의 기능으로 전력소모를 줄인 반면 데이터 체류시간은 향상시켰다.

　TSMC는 65나노 임베디드D램을 데이터 처리용량이 높은 게임 콘솔이나 고성능 네트워킹 장비, 디지털 기기, 멀티미디어 프로세서용으로 판매할 계획이다.

조윤아기자@전자신문, forange@