IBM, 새로운 eD램 기술 발표

　기존 D램보다 속도가 10배 정도 빠른 메모리 기술이 선보였다.

IBM은 S램과 D램의 강점을 활용해 속도는 10배 높이고 저장 용량은 3배 이상 늘려 결과적으로 전체 컴퓨터 성능을 최소 두 배 이상 높일 수 있는 차세대 메모리 ‘eD램(임베디드 D램)’을 개발했다고 밝혔다. 이 기술은 속도가 빨라 주로 캐시 메모리 용도로 사용하는 ‘S램’과 기억 밀도가 높고 가격이 싼 ‘D램’의 강점을 활용했다. IBM 측은 S램과 D램 단점을 보완한 이 메모리는 주로 네트워킹·게임·멀티미디어 기기에 사용될 것으로 기대했다.

IBM 반도체 연구소 리사 수 부사장은 “기존 메모리 성능을 한 단계 높이는 새로운 기술”이라고 말했다.

IBM은 45나노 공정 기반의 eD램이 2008년께 시장에 선보일 것으로 예측했다.

강병준기자@전자신문, bjkang@