15나노 공정을 적용한 반도체가 오는 2010년께 선보일 전망이다.
HP는 ‘크로스바 스위치(Crossbar Switch)’ 기술을 통해 트랜지스터 집적도를 지금보다 8배 가량 높인 새로운 반도체 공정 기술 개발에 성공했다고 밝혔다. 월스트리트저널·로이터통신 등에 따르면 이 기술은 더욱 미세한 나노 공정을 통해 칩 성능은 크게 높이면서 크기는 물론 전력 소비는 획기적으로 줄일 수 있다.
‘FPNI(Field Programmable Nanowire Interconnect)’로 이름 붙은 이 기술은 미국 실리콘밸리 HP연구소에서 개발에 성공했으며 트랜지스터 집적도와 속도 면에서 반도체 기술을 한 단계 높일 수 있을 것이라고 주요 외신은 전했다.
HP는 올해 안에 이 기술을 적용한 시제품 개발을 끝내고 오는 2010년께 15나노급 공정의 반도체를 상용화할 수 있을 것으로 예측했다.
특히 이 기술은 FPGA 디자인을 기반으로 설계해 추가 공정 투자 없이 최소의 비용으로 통신 스위칭 장비, 무선 네트워킹 시스템, 빌딩 제어 시스템과 같은 다양한 제품에 바로 접목할 수 있다.
이번 연구를 주도한 HP연구소 스탄 월리엄스 수석 연구원은 “통신·자동차·전자 제품 등 다양한 분야에 응용할 수 있다”며 “18개월을 주기로 트랜지스터 집적도가 두 배로 증가한다는 ‘무어의 법칙’을 다시 한 번 입증했다”고 말했다.
이 기술은 ‘FPNI 기술을 활용한 나노/CMOS 공정 개선’이라는 제목으로 이달 24일 발매 예정인 나노테크놀로지 잡지에 커버 스토리로 게재될 예정이다.
강병준기자@전자신문, bjkang@
