日 반도체업계, R&D 체제 강화

　일본 반도체업계가 국제 경쟁력 확보와 첨단 기술력 증강을 위해 연구개발(R&D) 체제를 강화한다.

전파신문에 따르면 도시바·NEC일렉트로닉스·르네사스테크놀로지·샤프·롬·오키전기공업·산요반도체 등 일 반도체업체들은 삼성전자·인텔 등 해외 유수의 반도체업체들이 매년 수 십억 달러를 투입해 R&D를 강화하는 데 자극받아 공격적인 R&D 체제 구축에 나섰다.

도시바는 소니·NEC 등과 공동 개발한 시스템LSI와 낸드형 플래시메모리의 미세 프로세스 개발에 열을 올리고 있다. 올 하반기에는 56㎚ 제품을 개시하며 40㎚, 30㎚ 반도체 개발도 지속적으로 추진한다.

연 평균 1500억∼1600억엔을 R&D에 투자하는 르네사스테크놀로지는 플래시메모리 내장 마이크로컨트롤러 라인을 늘리고 SH모바일G2 등 SoC 전략을 강화한다. 이와 함께 개발 원가 경쟁력 강화를 위해 중국, 베트남 등의 해외거점 인력도 오는 2008년까지 현재보다 각각 1.6배, 5배로 늘릴 계획이다.

NEC는 마이크로컨트롤러 등을 중심으로 신제품 개발에 주력한다. 올해 R&D 투자액은 전년도 수준인 1200억엔으로 주로 디지털 가전용 반도체 설계, 중국 개발 거점 강화에 나섰다.

마쓰시타전기산업은 자사 디지털 가전용 플랫폼인 ‘유니피에’ 적용 범위를 확대하기 위한 개발에 착수했다. SD카드 무비, 원세그(지상파 휴대폰 DMB)에 이어 올해는 대화면 평판TV, DVD 리코더, DVD 무비 등으로 확대할 계획이다.

이밖에 샤프는 LSI·전자부품·전자디바이스 등 3개 사업본부의 개발력 강화를 집중 추진하며 롬은 자동차용 LSI 개발 체제 강화에 나선다. 오키전기의 경우 전년 대비 22% 증가한 240억엔을 순수 R&D비로 늘렸다.

이들 업체는 △홈·모바일·자동차 등 다양한 방면의 정보·통신 네트워크 관련 기술 및 제품 개발 △원가 경쟁력에 직결되는 최첨단 설계 프로세스 △해외 설계 및 개발 거점 강화 등을 위해 R&D 강화를 서두르고 있다.

보도에 따르면 최근 일 반도체업체들은 해외 경쟁기업들에게 뒤지지 않기 위해 △투자 확대 △R&D 통한 생산력 증강

△원가 절감 등을 더욱 시급한 과제로 인식하기 시작했다. 명승욱기자@전자신문, swmay@