삼성-IBM-인피니언-차터드 컨소시엄 45나노급 로직·워킹샘플 개발

　삼성전자·IBM·인피니언·차터드 4사 연합이 차차세대 공정인 45나노급 실리콘 칩 시제품(워킹샘플) 개발에 성공, 이르면 2008년 45나노 양산시대를 열 것으로 기대된다.

　특히 4사 연합은 이번에 개발한 45나노 공정 샘플에 관련된 정보(디자인키트)를 세계 시스템온칩(SoC) 설계자들에게 공개해 표준규격의 호환세력을 넓힘으로써 파운드리 서비스 수요 기반을 다진다는 전략이다.

　삼성전자는 IBM(미국)·인피니언(독일)·차터드(싱가포르) 등과 구성한 차차세대 로직공정 컨소시엄이 45나노 로직공정을 개발하고 작동 회로(워킹샘플)를 확보하는 데 성공했다고 30일 밝혔다.

　 삼성전자는 이번에 확보한 공정을 이르면 내년부터 300㎜ 시스템반도체 전용라인인 S라인에 적용키로 했고, IBM과 차터드도 같은 시기에 적용할 예정이다. 워킹샘플은 4사가 공동 개발한 임베디드 메모리와 인피니언이 설계한 표준 라이브러리 셀, 입출력 회로 등으로 구성된다.

　삼성전자 시스템LSI 사업부 차세대개발팀의 강호규 상무는 “45나노 로직공정은 기존의 65나노 공정과 비교해 SoC의 집적도를 2배, 작동 속도를 30% 이상 증가시킬 수 있는 차세대 SoC에 적합한 공정 기술”이라고 말했다.

　차차세대인 45나노 로직공정은 인텔·AMD·TI 등이 2008년 양산 적용을 목표로 개발에 박차를 가하고 있으며 일본 주요 업체도 공동개발 컨소시엄을 형성해 개발을 서두르고 있다.

　4사 연합의 45나노 로직공정 공동 개발 프로젝트 책임자인 리사 수 IBM 상무는 “이번 45나노 공정 및 워킹샘플은 반도체업계 선도업체들 간의 협력으로 연구·개발 인력 및 지적자산(IP)의 글로벌 활용이 가능해짐으로써 기술 개발 시기를 상당히 앞당길 수 있었다”고 강조했다.

　심규호기자@전자신문, khsim@