인텔·마이크론, 50나노 4Gb 낸드플래시 메모리 개발

인텔과 마이크론이 50나노미터 공정 기술을 기반으로 4Gb 낸드 플래시 메모리를 개발, 샘플링한다고 25일(현지시각) 발표했다.

인텔과 마이크론은 이 제품을 두 회사의 개발 및 제조 합작법인인 IM 플래시테크놀로지를 통해 생산하며, 2007년 양산에 들어갈 예정이라고 밝혔다.

마이크론과 인텔의 이는 개발 및 제조 합작법인인 IM 플래시 테크놀로지(IM Flash Technologies, 이하 IMFT)를 통해 제조된다. 두 회사는 현재 4기가비트 디바이스를 샘플링하고 있으며, 2007년에는 50나노 노드의 다양한 밀도 제품을 대량 생산할 계획이다.

이번 50나노 공정 기술 개발을 통해 인텔과 마이크론은 디지털 음악플레이어, 이동형 저장장치, 핸드헬드 통신 단말기 등에서 요구되는 고밀도 낸드 플래시에 대한 수요를 충족시킬 수 있을 것으로 보인다고 설명했다.

업계 전망 분석에 따르면, 낸드 시장은 2006년 130∼160억 달러에 이르고 2010년에는 약 250∼300억 달러까지 성장할 것으로 추정된다.

한편 세계 최대 낸드플래시 업체인 삼성전자는 지난해 50나노 16Gb 낸드 플래시 샘플을 개발하고 내년 양산에 들어갈 예정이다.

전경원기자@전자신문, kwjun@