[다시 뛴다! 반도체 코리아]한국반도체 과거·현재·미래

◆태동기(1974-1983)

특징 : 조립생산단계, 가전제품에 필요한 개별소자 중심 개발

74년 삼성전자 한국반도체(부천)인수

75년 손목시계용 반도체 개발(삼성전자)

77년 흑백TV용 반도체 개발(삼성전자)

78년 삼성반도체 현판식

80년 이병철 삼성회장 기흥공장 사전답사　

81년 컬러TV용 반도체 개발(삼성전자)

◆성장기(1983-1991)

특징 : 메모리 3사 경쟁시대, 현대·LG 합병, 한국반도체업계 D램 중심 전후 공정 일관 생산체계 확보

83년 현대전자창립, 64kD램 개발(삼성전자 세계 3번째)

84년 현대전자(현 하이닉스반도체) 반도체 팹 건설하며 이천시대 개막

85년 현대전자 256kD램 양산

89년 금성일렉트로닉스(금성반도체) 출범. 청주 팹 시대 개막

◆도약기(1992-2006)

특징 메모리(D램·낸드) 세계시장 및 기술 주도, 팹리스 반도체 설계업체의 출현, 반도체 장비재료업계 국산화 스타기업 탄생.

92년 한국 D램 세계 1위국 등극

93년 삼성전자 메모리 세계 1위 등극

94년 반도체수출 100억달러 달성, 세계 최초 256MD램 개발(삼성전자)

95년 금성반도체 출범, 현대전자 세계 최초 256M SD램 개발

96년 삼성전자 1GD램 개발. 현대전자 미국공장시대

97년 현대전자 세계최초 1G SD램 양산

99년 현대전자·LG반도체 흡수합병(하이닉스출범), 삼성전자 낸드플래시 본격진출(256M 이후 매년 용량 2배씩 늘리며 세계 리딩)

2000년 반도체수출 200억달러 달성

2001년 삼성전자 기가대 낸드플래시 개발, 하이닉스 해외매각 이슈로 부상

2002년 한국 메모리 세계 1위국 부상

2004년 반도체장비 2000억 매출업체 출현, 반도체설계(팹리스) 1000억 매출업체 출현, 하이닉스 낸드플래시시장 진출

2005년 하이닉스 중국진출(우시공장 착공), 삼성전자 16G 50나노대 낸드플래시개발

◆성숙기

특징 : 메모리 시스템반도체 장비 재료 등 산업전반을 망라하는 진정한 반도체강국 지위 확보, 차세대메모리 선도

2012년 시스템반도체 세계 3강 진입(목표)

2015년 반도체 세계 2강, 수출 760억달러, 반도체 전체 시장 점유율 20%로 세계 2위, 메모리 55%로 1위, 시스템반도체 12%로 3위, 파운드리 10%로 2위, 장비국산화율 50%, 재료국산화율 75%(목표)

심규호기자@전자신문, khsim@