삼성전자가 세계 최초로 관통전극형(Through Silicon Via) 3D 패키지 기술을 적용한 8단 적층 낸드플래시 복합칩을 개발했다.
관통전극형 3D 패키지 기술은 웨이퍼를 수직으로 관통하는 구멍을 뚫어 이를 이용해 와이어본딩 없이 복수의 칩을 연결, 하나로 패키징하는 차세대 기술로 선진 반도체업체를 중심으로 연구 개발이 본격화되고 있는 분야다. 본지 4월 11일자 19면 참조
이번에 개발된 8단 적층 낸드플래시 복합칩은 관통전극형 3D 패키지 기술이 적용된 세계 최초의 시제품이자 메모리카드 시장용으로 효용가치가 크다.
삼성전자(대표 윤종용)는 와이어본딩을 이용해 칩을 연결하는 기존 방식과 달리, 웨이퍼에 구멍을 뚫어 칩을 연결하는 관통전극형 패키지 기술 ‘WSP(Wafer-level processed Stack Package)’를 실제 제품에 적용하는 데 세계 최초로 성공했다고 13일 밝혔다.
삼성전자가 WSP 기술을 이용해 선보인 제품은 50㎛ 두께의 2Gb 낸드 플래시 8개를 적층했음에도 불구하고 전체 두께가 560㎛ 에 불과한 16Gb의 대용량 복합칩이다. 회사 측은 이 복합칩을 내년부터 양산 출하할 계획이며, 이와 병행해 8단 적층 기준으로 320㎛ 두께의 초박형제품 개발도 추진하고 있다.
삼성전자는 이번 WSP 기술의 핵심인 관통전극 구현을 위해 일반적인 드라이 에칭 대신 독자방식인 레이저 드릴링 기술을 채택, 포토·에칭 등 패터닝 공정을 생략해 제조원가 절감도 기대된다.
삼성전자는 이번 기술개발을 통해 총 16건의 국내외 특허를 출원, 차세대 패키지 기술 관련 원천기술을 확보했으며, 올해 전 세계 주요 학회에 성과를 발표할 계획이다.
심규호기자@전자신문, khsim@
