KAIST, 세계에서 최소 나노전자소자 개발

머리카락 굵기의 4만분의 1크기에 불과한 세계에서 가장 작은 나노전자소자가 국내에서 개발됐다.

　한국과학기술원(KAIST)은 최양규 교수와 나노종합팹센터 공동연구팀이 3차원 3㎚급 ‘나노전자소자(FinFET)’를 개발하는 데 성공했다고 14일 밝혔다. 3㎚급이란 반도체 회로 선폭이 3㎚라는 의미로 머리카락 한 올에 12폭 동양화를 그려넣을 수 있는 초정밀 기술이다.

　지금까지 세계 최소형 소자는 2003년 12월 일본 NEC가 국제전자소자회의(IEDM)에서 발표한 ‘표준형 2차원 평면 소자구조를 이용한 4㎚ 소자’로 알려져 있으며 이번 연구로 우리나라가 세계 기록을 경신하게 됐다.

　연구팀이 개발한 나노전자소자는 게이트가 채널의 전면을 감싸고 있는 새로운 형태의 3차원 구조로 고안돼 크기가 작으면서도 누설 전류가 적어 소자 특성을 극대화했다. 이 나노소자는 프로세서나 테라급 D램, S램, 플래시 메모리 소자로 응용할 수 있어 휴대인터넷, 동영상 회의, 입는 컴퓨터 등 차세대 정보처리 기기의 필수부품으로 쓰일 전망이다.

　최양규 교수는 “이번 연구로 탄소나노튜브나 분자소자 등 신소재를 사용하지 않고 기존 실리콘 소재만으로 5㎚ 이하 소자를 구현할 수 있다는 사실이 입증됐다”며 “실리콘 반도체 기술을 한 단계 진전시킨 의미가 있다”고 말했다.

　이번 연구 성과는 오는 6월 13일 미국 하와이에서 열리는 ‘초고집적회로 국제학회(Symposium on VLSI Technology)’에서 발표될 예정이다.

　조윤아기자@전자신문, forange@