2012년 웨이퍼 당 칩 생산성 기존 공정 16~20배 향상

　오는 2012년 반도체는 450㎜(16인치) 웨이퍼·32나노(㎚) 미세공정이 주력으로 자리잡을 전망이다.

　국제반도체기술로드맵(ITRS) 측은 이 공정이 적용되면 300㎜·90나노인 현 공정과 비교할 때, 한 웨이퍼에서 얻을 수 있는 칩의 수가 16∼20배 늘어난다고 밝혔다. 이에 따라 오는 2012년을 전후해 세계 반도체업계는 큰 폭의 합종연횡 및 구조조정이 불가피할 것으로 예상된다.

　국제반도체기술로드맵(ITRS)은 13일 서울 신라호텔에서 기자간담회를 열고, 지난 2001년 본격 도입되기 시작한 300㎜ 웨이퍼가 오는 2012년부터 서서히 450㎜ 웨이퍼로 대체될 것이라는 전망을 내놨다.

　또 미세공정은 현 주력인 90나노가 2012년에는 32나노로 축소되고, 2015년에는 현재 기술의 한계로 여겨지는 22나노 시대에 들어설 것으로 예상했다. 미세화 로드맵은 D램 등이 기준이고, 플래시메모리는 D램에 비해 공정별로 1년 이상 미세화가 앞서갈 것으로 분석됐다.

　인텔의 파올로 A 가지니 기술전략총괄이사는 “이에 따라 현재 90나노에서 32나노로 줄어드는 데 따른 생산성 향상이 8배, 300㎜에서 450㎜로 확대되는 데 따른 생산성 향상이 2∼2.5배임을 고려할 때, 2012년 웨이퍼 1장당 생산성은 현재의 16∼20배에 이를 것으로 추정된다”고 밝혔다.

　이날 간담회에서 ITRS 측은 “450㎜ 웨이퍼 팹을 짓는 데 소요되는 비용은 아직 시뮬레이션하지 못했지만 막대한 비용이 드는 것이 사실”이라며 “궁극적으로 투자 여력이 있는 회사가 몇 개 남을지 모르고 이를 타개하기 위해 합종연횡 및 연합·협력이 빈번이 일어나겠지만 (수요에 맞춰) 세계 반도체 생산량은 꾸준히 증가할 것”이라고 설명했다.

　한편 ITRS회의는 98년 최초로 시작해 매년 15년 후의 반도체 미래를 전망해 왔으며, 한국에서는 올해 처음으로 열려 한국반도체산업의 위상을 반영했다.

　심규호기자@전자신문, khsim@