심규호
‘256MS램 세계 최초 개발(95년)’ ‘세계 최초 실리콘 온 인슐레이터(SOI) 1G SD램 개발(97년)’ ‘그래픽용 세계 최고속(200M∼275㎒) DDR SD램 양산(2001년)’
2001년 10월 채권금융기관 공동관리에 들어가기 전까지 다양한 ‘세계 최초’ 기록을 만들어 냈던 하이닉스반도체. 몇 년간의 어두운 터널을 뚫고 경영정상화를 통해 채권단 관리에서 벗어나면서, 다시 ‘세계 최초’ 수식어가 이 회사에 붙고 있다.
어려운 여건 속에서도 세계 2위 메모리반도체업체 자리를 탈환한 하이닉스지만 삼성전자에 밀리면서 항상 두 번째에 만족해야 했다. 물론 매출 규모나 생산능력 면에서 경쟁상대일 수 없다. 그러나 최근 첨단 D램 분야에서는 속속 ‘세계(업계) 최초’라는 수식어를 확보하면서 두각을 나타내고 있다.
가장 대표적인 제품이 차세대제품인 DDR3 모듈. 하이닉스는 공식적으로 보도자료를 내지는 않았지만, 미국에서 열린 인텔 주최 전시회에서 세계 최초로 제작한 512M와 1G급 데스크톱 메모리모듈을 참석자들에게 소개했다. 단품인 DDR3 칩은 삼성전자가 ‘세계 최초’로 개발했으나, 관련 모듈은 반도체업체 가운데 유일하게 하이닉스가 처음으로 시제품을 제작하고 인텔과 커뮤니케이션을 시작한 것이다.
하이닉스 관계자들은 “어떤 경우에도 경쟁사와 비교되는 것은 바람직하지 않다는 것이 회사 입장”이라는 말을 반복해 왔다. 하지만 ‘자의 반 타의 반’ 하이닉스는 DDR3 모듈 분야에서 ‘세계 최초’ 수식어를 갖게 된 것이다. 특히 최근 들어 하이닉스는 △최고속 대용량 노트북PC용 모듈인 2GB DDR2-667 SODIMM 최초 인텔인증 △최고속 데스크톱용 1GB DDR2-800 대만 아수스(세계 최대 주기판업체) 인증 등 고속 D램 모듈분야에서 세트 및 보드업체로부터 업계 최초로 인증을 획득, 마케팅 측면의 시장 선점 기회를 확보하고 있다.
하이닉스는 지난 연말 이천공장 M7 기준으로 ‘200㎜ 팹에서 10만장 생산체제’라는 월드 베스트 기록을 세워 경쟁업계의 벤치마킹 대상이 되기도 했다. 어려운 시절을 슬기롭게 헤쳐 온 하이닉스반도체가 앞으로 다시 쓸 ‘세계 최초’ ‘세계 최고’를 기대해 본다.
디지털산업부=심규호기자@전자신문, khsim@
