ST마이크로, 낸드플래시·P램 강화

유럽의 ST마이크로일렉트로닉스가 낸드플래시메모리 사업을 강화한다.또 차세대 메모리 제품 가운데는 P램을 주력으로 선정해 사업화를 가속화한다는 계획이다.

ST마이크로일렉트로닉스(회장 카를로 보조티)의 칼라골라 낸드플래시 총괄 매니저<사진>는 최근 가진 전자신문과의 인터뷰에서 “(중국합작사 설립을 계기로) 낸드 플래시메모리를 중심으로 한 메모리 사업 강화를 통해, 전체 매출 가운데 메모리가 차지하는 비중을 점진적으로 높여나갈 계획”이라고 밝혔다.

ST마이크로는 메모리 사업을 강화하는 이유로 △가전·무선기기·멀티미디어기기·PC 등 다양한 애플리케이션에서 메모리의 수요가 급증하고 있고 △메모리와 시스템반도체를 원 패키지화하는 시스템 인 패키지(SiP) 등 향후 주력 분야에서 첨단 메모리의 중요성이 커지고 있다는 점을 꼽았다. 또 현 카를로 보조티회장이 메모리사업부를 총괄 부장 출신이어서 메모리에 대한 이해가 높다는 점도 메모리 사업 강화의 한 요인이 되는 것으로 분석된다.

ST마이크로는 메모리와 시스템반도체를 포함해 3000개 이상의 제품군을 보유하고 있는 종합 반도체업체로, 낸드·노어·EEP롬 등 메모리 제품의 매출 비중은 전체의 20% 정도다.

이와 함께 ST마이크로는 차세대 유망 메모리인 P램(상변화메모리)·F램(강유전체메모리)·M램(강자성메모리) 가운데서는 P램을 차기 주력 메모리로 선정하고, 제품화에 박차를 가할 방침이다. 특히 이 회사는 P램이 기본적인 시모스(CMOS) 공정과 호환될 수 있다는 점을 강점으로 꼽고 있다.

칼라골라 매니저는 “ST마이크로는 이미 수년전 부터 P램 개발에 착수해 데모제품도 내놓은 상태”라며 “아직 해결할 문제는 많지만 2008년 경에는 본격 양산에 들어갈 것”이라고 밝혔다.

한편 ST마이크로 측은 하이닉스와의 합작 공장인 ‘하이닉스-ST 반도체 유한공사’의 향후 운영과 관련해 △내년 초 가동하는 200㎜ 팹은 우선 110나노에서 제품을 양산하고 점차 90나노로 전환 △낸드 플래시는 내년 하반기 가동에 들어가는 300㎜ 팹에서 70나노 공정을 적용해 양산 △200㎜ 팹은 D램만 양산하는 쪽으로 가닥을 잡았다고 밝혔다. 그러나 이 합작공장의 운영은 하이닉스반도체가 맡고 있다고 밝혀, 세부 계획은 하이닉스의 결정에 따라 조정 가능성이 있음을 분명히 했다.

심규호기자@전자신문, khsim@