삼성, F램 탑재 스마트카드IC 개발

삼성전자가 세계에서 두번째로 F램을 탑재한 스마트카드용 IC 개발을 마치고 조만간 양산에 들어갈 예정이다.

　삼성전자는 0.18미크론 미세가공기술을 채택하고 공급전압 1.62∼5.5V, 입출력 사이클시간 100ns(10억분의 1초)의 F램 탑재 스마트카드용 IC 개발에 성공했다고 23일 밝혔다.

　4층 배선을 사용해 칩 크기 15.5㎟인 이 제품은 제어계통의 논리회로와 함께 데이터저장용도의 128kB F램, 캐시메모리 8kB F램, 코드저장용도 384kB 마스크 롬을 탑재하고 있다.

　이 회사 관계자는 “F램 탑재 스마트카드용 IC는 EEP롬이나 플래시메모리 탑재 제품에 비해 처리속도가 빠르고 입출력 가능 횟수가 획기적으로 늘어날 뿐 아니라 제조공정이 단순하며 같은 용량에서 칩 면적이 크게 줄어든다”고 설명했다.

　삼성전자는 최근 미국 하와이에서 개최된 2004년 VLSI 심포지엄에서 시제품 개발 사실을 공개하고 ‘양산을 위한 과제도 모두 해결했다’고 발표한 바 있어 조만간 양산에 들어갈 것으로 보인다.

　F램 스마트카드용 IC는 일본의 후지쯔와 마쓰시타가 지난해 개발을 완료하고 양산 준비중이다.

　심규호기자@전자신문, khsim@