후지쯔, 미국에 반도체공장 건설 계획 정식 발표

　일본 후지쯔는 총 1600억엔이 들어가는 미 반도체 공장 건설 계획을 19일 정식 발표했다고 니혼게이자이신문이 이날 보도했다.

　투자비 1600억엔은 단일 공장 건설비로는 사상 최대 규모다.

　후지쯔는 미 공장에 직경 300㎜ 웨이퍼에 최첨단 미세가공 기술을 사용하는 시스템 LSI 생산라인을 구축할 예정이다. 우선 내년에는 700억엔을 투입해 건물 신설할 계획인데 4월부터 가동에 들어가고 9월에는 제품 출하에 나설 예정이다. 최첨단의 90㎚ 프로세스에 대응하는 반도체와 65㎚의 반도체를 생산한다.

　이 회사는 최종적으로는 300㎜ 웨이퍼 기준으로 월 1만3000장의 생산 체제를 구축할 방침이다. 후지쯔는 현재 일본 국내에 웨이퍼 회로를 형성하는 공장을 4개 두고 있지만 대응할 수 있는 웨이퍼 구경이 200㎜까지다.

　<명승욱기자 swmay@etnews.co.kr>