인텔, 65nm급 S램 시제품 개발

　인텔이 차차세대 반도체 공정이라고 일컫어지는 65나노미터(nm) 공정을 이용한 4메가비트(Mb) 용량의 S램 시제품을 개발했다고 C넷이 24일(현지시각) 보도했다.

　현재 PC에 들어가는 반도체 대부분이 130nm 선폭의 공정라인에서 제작되는 상황에서 이보다 두 배나 더 정밀한 65㎚ 공정기술이 성공함에 따라 향후 반도체산업의 지속적인 성장을 보장받게 됐다고 인텔측은 설명했다. 65㎚급 반도체가 실용화될 경우 반도체의 생산 원가와 에너지 소비가 대폭 줄고 칩 내부의 회로가 단축돼 클록속도가 지금의 두 배로 늘어나게 된다.

　인텔은 내년도 반도체 생산라인의 주력을 90nm 공정으로 바꿀 예정인데 이번 S램 개발 성공으로 65nm와 45nm로 이어지는 차세대 나노급 생산기술 경쟁에서도 유리한 위치에 올라서게 됐다.

　이 회사 수석연구원 마크 보어는 “65nm급 S램 제작으로 같은 가격의 반도체 집적도가 18개월마다 두배로 늘어난다는 무어의 법칙이 계속 유지되게 됐다”며 오는 2005년부터 65nm급의 마이크로프로세서 제품을 상용화할 계획이라고 밝혔다.

　<배일한기자 bailh@etnews.co.kr>