도시바, SOI기판용 임베디드 D램 개발

　도시바가 세계 최초로 실리콘온인슐레이터(SOI:Silicon On Insulator) 기판용 임베디드 D램 셀을 개발했다고 EBN 등 외신이 전했다.

　이에 따르면 도시바는 플로팅바디셀(FBC:Floating Body Cell)로 불리는 메모리 기술을 통해 그동안 벌크(bulk) 기판용으로만 제작되던 D램 메모리셀을 SOI에서 형성하는 데 성공했다. 이에 따라 하나의 칩 위에 고성능 마이크로프로세서와 대용량 메모리를 동시에 집약시키는 시스템온칩(SoC) 생산이 용이해졌다고 도시바측은 밝혔다.

　도시바는 “이 기술의 동작원리와 회로기술을 이미 대규모집적회로(LSI)에서 실증했다”며 “2006년 이후 45㎚ 공정을 통해 양산에 나설 예정”이라고 덧붙였다. 타깃 시장은 차세대 네트워크 기기용 칩 시장이 될 전망이다.

　<성호철기자 hcsung@etnews.co.kr>