엘피다, 저전력 DDR 개발

　일본 유일의 D램제조업체인 엘피다메모리가 휴대폰용 256Mb 저전력 DDR 제품을 개발했다고 닛케이산교신문, EE타임스 등이 27일 보도했다.

　이 제품은 휴대폰이 대기 상태일 때 평균 소비전류가 100㎂에 그쳐 소비전력을 기존 제품의 10% 수준으로 줄인 것이 특징이다.

　EE타임스는 “삼성전자·마이크론·인피니온 등이 저전력 D램에 주목하고 있으며 저전력 D램은 향후 D램 시장 성장의 주요한 동력이 될 것”이라며 엘피다의 이번 제품을 이같은 흐름에 동참한 것으로 풀이했다.

　엘피다측은 “이번 제품은 클록주파수 100㎒로 초당 400MB 전송이 가능하다”고 밝혔다. 이달에 샘플 출하를 개시하고 오는 9월부터 SDR와 DDR를 포함해 월 200만개를 생산할 계획이다.

　닛케이산교신문은 “이 제품들은 0.11마이크론 공정에서 제조되며 향후 휴대폰 외에도 PDA·디지털카메라 등 휴대형 기기에 폭넓게 사용될 것”이라고 보도했다.

　한편 엘피다측은 이 제품의 채택을 위해 10개 고객업체와 협의를 진행 중이라고 밝혔다.

　<성호철기자 hcsung@etnews.co.kr>