집트로닉스, 3D 반도체 가능케하는 웨이퍼 접합 기술 개발

사진; 위에서부터 차례로 금속 인터커넥트, 메모리 서브스트레이트, 메모리 층, 접합 인터페이스, 로직 메탈, 로직 트랜지스터, 로직 서브스트레이트 등이 접합된 집트로닉스의 3D 회로.

　집트로닉스가 3차원(3D) 반도체를 만들 수 있도록 해주는 웨이퍼 접합 기술을 개발했다고 EE타임스가 보도했다.

　집트로닉스에 따르면 웨이퍼 접합기술을 이용하면 로직 디바이스와 메모리 또는 로직 디바이스와 아날로그 부품 등을 결합시킬 수 있는 것은 물론 RF필터를 RF부품과, 실리콘과 실리콘게르마늄 디바이스 등을 3족·5족 원소를 사용하는 반도체와 결합시킬 수도 있다.

　특히 이 회사의 웨이퍼 접합 기술은 특별한 화학공정 처리와 식각공정을 통해 이뤄지기 때문에 고압이나 열 활성화 등을 필요로 하지 않아 접합에 의해 회로가 악영향을 받지 않도록 한 것이 특징이다.

　이와 관련, 집트로닉스의 CEO인 더글러스 밀너는 “로직, 아날로그, 메모리 등의 서로 다른 회로를 다이대다이(die-to-die) 방식으로 수 마이크론의 거리만을 두고 연결시킬 수 있어 전달지연 시간을 최소화할 수 있다”고 주장했다. 또 집트로닉스의 공동 창업자이며 부사장인 로버트 마쿠나스는 “접합되는 2개 다이 간의 거리가 10마이크론 이내이며 이는 시스템온칩(SoC)의 온칩 인터커넥트 수준”이라며 “일례로 2.8㎓로 작동하는 프로세서의 경우 133㎒ 전면버스를 사용하지 않고 프로세서와 같은 속도로 접속시킬 수 있다”고 말했다. 그는 또 “접합 비용이 웨이퍼당 500달러 정도로 시스템칩이나 2차원 설계 반도체에 비해 50% 정도이며 제품 출시 시기도 앞당길 수 있다”고 덧붙였다.

　집트로닉스는 90년대초 리서치트라이앵글인스티튜트에서 킨예 탕이 이끄는 연구팀이 개발하기 시작한 웨이퍼접합기술을 가지고 2000년 9월 분사한 회사다.

　<황도연기자 dyhwang@etnews.co.kr>