<오늘의 용어>다중게이트 트랜지스터

　트랜지스터에서 전류 흐름을 통제하는 역할을 하는 게이트 수를 기존 1개에서 2개 이상으로 늘린 트랜지스터. 반도체 공정이 점차 정교해지면서 심각한 문제로 대두되고 있는 전류 누출 등의 문제점을 차단하기 위해 IBM·인텔·AMD·TSMC 등 주요 반도체 업체들이 앞다퉈 개발에 나서고 있다.

　실제 최근 들어 트랜지스터 게이트와 기타 반도체 부품들이 원자 수준의 두께로 작아지면서 전류 누출은 중요한 문제로 받아들여지고 있다. 90㎚ 공정에서 생산되는 반도체는 전기의 절반 가량이 누출로 손실되는 것으로 알려졌다. 반도체에서 전류 누출은 단순한 손실로 끝나는 것이 아니라 노트북PC의 배터리 수명을 줄이고 서버에서 소요 전력을 높이는 등의 부차적인 문제까지 이어지게 된다.

　이에 비해 다중 게이트 트랜지스터는 트랜지스터의 전류 흐름을 통제하는 게이트가 2∼3개여서 각 게이트에 흘러드는 전류의 평균 양을 줄일 수 있기 때문에 누출 전류량이 대폭 줄어든다. 호스에 흐르는 물을 멈추기 위해 한손으로 틀어쥐는 것보다 두손을 이용하는 것이 훨씬 더 효과적인 것과 같은 원리다. 다중 게이트 트랜지스터는 이처럼 전류의 누출을 막아줄 뿐 아니라 2∼3개의 게이트로 보다 많은 전류를 흘릴 수 있기 때문에 반도체의 성능도 향상시킬 수 있다.