AMD, 이중 게이트 트랜지스터 개발

　AMD도 이중 게이트 트랜지스터 개발 열풍에 뛰어들었다.

　로이터는 AMD가 UC버클리대와 공동으로 이중 게이트를 갖춘 10㎚ 크기의 CMOS FIN-전계효과트랜지스터(FET)를 개발했다고 보도했다.

　이와 관련, AMD는 자사의 SDC(Submicron Development Center)에서 만들어낸 이중 게이트 트랜지스터 시제품은 10억개의 트랜지스터를 하나의 반도체에 집적할 수 있도록 해준다고 밝혔다. 현재 최신 반도체는 1억개의 트랜지스터가 집적된다.

　AMD의 기술개발 담당 부사장인 크레이그 샌더는 “전세계 반도체 업계는 오늘날 표준 공정의 변경을 최소화하면서도 작고 성능이 높은 새로운 트랜지스터를 만들어내는 데 매달리고 있다”고 말했다.

　AMD에 앞서 IBM, 인텔, 대만의 TSMC 등 주요 반도체 업체도 이중 게이트 트랜지스터의 시제품을 개발했다고 밝힌 바 있다.

　AMD와 버클리는 이번에 개발한 이중 게이트웨이 트랜지스터와 관련한 논문을 오는 12월 9일부터 11일까지 샌프란시스코에서 개최되는 IEDM(International Electron Devices Meeting)에서 발표할 계획이다.

　<황도연기자 dyhwang@etnews.co.kr>