실리콘게르마늄(SiGe)반도체 대량 생산체제로 전환

　차세대 반도체 소재로 각광받아온 실리콘게르마늄(SiGe)이 국내외 반도체업체들의 공정기술 안정화와 일관생산라인(FAB:팹) 확충으로 대량생산체제로 들어섰다.

　이에 따라 그동안 주문생산체제를 바탕으로 초기단계에 머물던 SiGe 반도체가 초고속·초소형·저비용의 장점에 규모의 생산능력까지 갖춰 통신용 반도체시장에 새바람을 불러일으킬 전망이다.

　6일 관련업계에 따르면 SiGe 반도체시장을 선도하고 있는 IBM이 최근 미국 이스트피시킬에 있는 300㎜ 웨이퍼 전용 팹에서 0.13미크론급 SiGe 전용라인을 가동, 대량생산체제의 물꼬를 텄다.

　세계 최고속 110㎓급의 통신 집적회로(IC)를 개발하는 데 성공한 IBM은 이같은 앞선 기술력에 300㎜ 전용 팹까지 갖춰 무선통신·광통신 반도체시장을 석권하겠다는 전략으로 내년 초에는 90나노미터(㎚) 공정도 양산을 시작할 것으로 알려졌다.

　통신반도체시장의 선두주자 텍사스인스트루먼츠(TI)와 스카이웍스(옛 커넥선트 무선통신사업부)도 SiGe 이중 상보성금속산화막반도체(Bi-CMOS) 이종접합트랜지스터(HBT) 공정기술을 바탕으로 각각 ‘바이콤(BiCom)Ⅱ’와 ‘SiGe200’ 등 독자공정을 개발하고 양산에 들어갔다.

　이들 회사는 기존 고주파(RF) 반도체 주력공정인 갈륨비소(GaAs) 생산라인 이외에 고효율·저비용 구조의 SiGe 라인을 확대해 시장변화에 대응하고 저소음·초저전력·초고속의 제품으로 라인업을 다양화할 계획이다.

　캐나다 SiGe반도체도 SiGe 공정을 이용한 2.4㎓급의 블루투스와 5㎓급의 무선랜용 전력증폭기(PA)를 개발, 에이스인터내셔널을 통해 국내 공급을 시작했으며 아트멜·애질런트 등도 제품 개발을 완료한 것으로 알려졌다.

　국내에서는 타키오닉스(옛 대우전자 반도체사업부)를 인수, RF 반도체 사업을 확대하고 있는 광전자가 발빠르게 움직이고 있다. 이 회사는 지난해 말 Bi-CMOS HBT 공정 개발을 끝내고 대학과 연구소에 수탁생산(파운드리)서비스를 제공한 데 이어 최근에는 자체 제품인 RF 트랜지스터와 단일칩고주파집적회로(MMIC)의 양산을 시작했다. 이 회사는 2005년까지 전북 익산, 경기 화성, 중국 톈진 등으로 생산기지를 재편해 월 4만5000장 규모로 양산능력을 갖추기로 했다.

　MMIC 전문 설계업체 에프씨아이(FCI)도 최근 800㎒ 대역의 디지털 휴대폰, 아날로그 이동통신 방식인 AMPS, 1.9㎓ 대역의 개인휴대통신(PCS) 단말기를 모두 지원하는 듀얼밴드 고주파집적회로(RFIC)의 개발을 완료, 삼성전자에 납품했으며 이를 통해 올해 50억원 이상의 매출을 올릴 것으로 예상하고 있다.

<정지연기자 jyjung@etnews.co.kr>