<오늘의 용어>CMOS RF기술

　대다수의 무선통신기기는 고주파(RF)와 중간주파수(IF), 그리고 기저대역(baseband)칩으로 구성되나 최근 저전력·초소형의 무선통신단말기를 제조하기 위해 주파수 부품과 기저대역을 하나의 칩에 통합하려는 움직임이 본격화하고 있다.

　이를 위해서는 현재 기저대역칩을 제조하는 상보성금속산화막반도체(CMOS) 공정을 RF·IF 등 주파수 부문의 칩 설계 및 제조에도 적용해야 하는데 이를 위한 것이 바로 CMOS RF기술이다.

　그동안 반도체업계는 RF칩 제조에 바이폴러(bipolar) 공정과 CMOS 공정을 결합한 BiCMOS 공정을 적용해 왔으나 이는 일종의 특수공정으로 제품의 성능은 쉽게 구현할 수 있지만 반도체의 집적도가 떨어질 뿐만 아니라 제조비용이 높다는 단점이 지적돼 왔다.

　CMOS RF기술은 RF를 직접변환방식(direct conversion) 등으로 기저대역 수준으

로 낮게 떨어뜨려 일반적인 CMOS 공정으로도 RF칩을 제조할 수 있게 하는 것이다. 이는 결국 베이스밴드와 RF를 하나의 칩에 통합하는 핵심기술로서 무선통신

기기용 시스템온칩(SoC) 개발을 가능케 한다.