원자 존재 유무로 정보 기록 새 메모리 반도체 개발

원자의 존재 유무로 정보를 기록하는 반도체 메모리가 개발됐다.

　EE타임스는 미 위스콘신-매디슨대와 스위스의 바젤대 연구팀이 개별 원자의 존재 유무로 정보를 기록하는 반도체 메모리를 개발했다고 보도했다.

　연구팀의 리더인 위스콘신-매디슨대 교수 프란츠 힘프셀에 따르면 연구팀은 실리콘 웨이퍼 표면에 금을 입혀서 원자가 원자의 폭보다 5배 큰 트랙에 조립되도록 해 이같은 반도체를 만들어냈다. 이 메모리는 현재 제곱인치당 250테라비트의 기록밀도를 갖고 있어 상용화될 경우 메모리 분야에 획기적인 진전이 기대된다.

　힘프셀 교수는 “메모리 트랙에 원자를 집어 넣어 포맷시키고 주사터널링현미경(STM)으로 원자를 제거해 기록, 트랙을 주사(scanning)해 이를 읽어낸다”며 “실험결과 기록 밀도가 증가하면 정보를 읽어내는 속도가 떨어진다는 사실을 발견했다”고 설명했다. 또 그는 “원자 메모리의 한계는 기록 밀도와 속도가 최적의 조합을 이루는 선에서 결정될 것”이라고 전망했다.

　힘프셀 교수팀의 원자 메모리는 이전의 원자 조작 장비들과는 달리 상온에서 안정적이며 트랙과 원자의 위치가 잘 정의돼 기존 하드디스크의 읽기와 쓰기 기술을 활용할 수 있을 것으로 기대된다. 그러나 읽기와 쓰기 속도가 비교적 느리고 진공 상태에서 준비되고 보호돼야 한다는 점이 해결해야 할 과제다.

　이에 대해 힘프셀은 “빠른 전자 주사속도로 읽기의 속도를 이론적 한계까지 끌어올리는 연구가 진행되고 있다”고 밝혔다.

　<황도연기자 dyhwang@etnews.co.kr>