나리지온, 6인치 갈륨비소 인갭 이종접합트랜지스터 제조공정 기술개발 품질 검증

　발광다이오드(LED) 및 화합물 반도체 수탁생산(파운드리)업체 나리지온(대표 조장연 http://www.knowledge-on.com)은 6인치(150㎜) 갈륨비소(GaAs) 인듐갈륨포스파이드(InGaP)에 대한 이종접합집합트랜지스터(HBT) 제조공정기술의 개발을 완료하고 품질검증을 마쳤다고 20일 밝혔다.

　이 회사는 최근 InGaP HBT 기술로 제작한 파운드리용 고주파 전력증폭기(PA)의 시제품을 테스트한 결과, 제품 수명을 결정하는 신뢰성 데이터가 기존 알루미늄갈륨비소(AlGaAs) HBT 방식에 비해 70배 가량 우수했으며 HBT 기술의 문제점으로 지적되어 온 잡음 발생을 크게 줄이는 성과를 거둔 것으로 알려졌다.

　이 회사가 품질검증에 성공한 InGaP HBT 기술은 부품 수명 연장과 저전력 배터리 사용을 장기화할 수 있으며 수신부(Rx)와 송신부(Tx), PA를 하나의 칩으로 구성하는 ‘시스템온칩(SoC)’이 가능, 부품 소형화 및 경량화를 꾀할 수 있는 최첨단 기술이다.

　나리지온은 이에 따라 최근 파운드리 대량생산체제 구축을 완료했으며 국내외 주요 통신부품기업들과 진행중인 시제품 평가작업이 마무리되는 4분기부터 양산에 들어간다는 방침이다.

　 조장연 사장은 “6인치 GaAs InGaP HBT 파운드리는 전세계적으로 기술을 보유한 기업이 단 3곳에 불과할 정도로 고도의 기술이 필요해 시장진입이 매우 까다로운 사업”이라면서 “기술력 우위를 바탕으로 차별화된 시장전략을 펼칠 계획”이라고 말했다.

　<정지연기자 jyjung@etnews.co.kr>