인텔, 90㎚ 공정 적용 최소형 S램 셀 첫선

　인텔이 90나노미터(㎚) 공정을 적용한 세계 최소형 S램 메모리 셀을 개발했다.

　인텔은 12일(현지시각) 오리건주 힐스보로의 300㎜ 웨이퍼 생산공장(D1C)에서 90㎚의 차세대 공정기술을 적용, 칩 크기가 1제곱미크론에 불과한 S램 메모리 셀을 제조하는 데 성공했다고 발표했다.　

　인텔은 최첨단 193㎚와 248㎚ 리소그래피 툴을 사용해 이번 셀을 제조했으며 3억3000만개의 트랜지스터가 집적된 109㎟(1원짜리 동전) 크기의 52Mb S램도 함께 개발, 동작 구현에도 성공했다고 밝혔다.　

　인텔은 “1제곱미크론 S램 셀 개발은 반도체 집적도에 있어 새로운 기준을 제시하는 것”이라며 “최첨단 공정기술에서 인텔의 우위를 증명해 보이는 사례”라고 설명했다.　

　인텔은 90㎚ 공정을 300㎜ 웨이퍼에만 적용해 내년 하반기부터 마이크로프로세서, 통신용 반도체, 칩세트 등을 양산할 계획이다.

　<정지연기자 jyjung@etnews.co.kr>