삼성전자, 0.11㎛ 저전력 S램 업계 첫 개발

　삼성전자(대표 윤종룡)가 0.11미크론(㎛)급 초미세 공정기술을 적용한 32Mb 저전력 S램을 업계 처음으로 개발했다.　 　

　이번에 개발된 S램은 △1마이크로암페어(㎂) 이하의 소비전류 △휴대기기에 필수적인 1.8V의 동작전압 △55나노초(㎱)의 초고속 데이터 처리능력을 갖추고 있다.　

　또한 0.11㎛급 초미세 공정기술을 적용해 소형화 추세인 첨단 이통기기에 적합하도록 칩 크기를 33% 축소하고 생산성도 50% 이상 향상시킬 수 있게 됐다. 　

　삼성전자는 4M 제품이 주류를 이루는 이동통신기기용 S램시장에 인터넷 접속과 동영상 전송이 필수적인 차세대이동통신(IMT2000) 단말기용 대용량 S램을 내놓음으로써 타 경쟁사보다 최소 6개월 이상 앞선 기술력을 선보였다고 설명했다.　

　삼성전자는 이를 통해 지난 95년부터 지켜온 S램 반도체 1위의 위상을 8년째 유지할 것으로 기대했고 16M와 8M 제품에도 0.11㎛ 공정을 확대 적용, 하반기부터는 본격적인 양산에 들어갈 계획이다.　

　시장조사기관 IDC는 S램 반도체의 최대 시장인 이동전화가 오는 2005년 약 6억7000만대의 시장을 형성할 것으로 전망했으며 삼성전자는 전세계 S램시장의 30% 이상을 점유한다는 목표다.

<정지연기자 jyjung@etnews.co.kr>