日샤프-도호쿠大, 3차원 배열기술 공동 개발

　일본의 샤프와 토호쿠대학이 플래시메모리의 용량을 16기가비트까지 늘릴 수 있는 3차원 배열기술을 공동개발했다고 미국 워싱턴에서 개최된 국제전자장비회합(IEDM)에서 밝혔다.

　이번에 개발된 기술은 메모리셀을 2차원 평면에 배치하는 기존 기술과는 달리 3차원으로 쌓아 올려 배치해 플래시메모리의 용량을 늘려 주는 것이 특징이다. 16기가비트는 현존 최대용량인 64메가비트 플래시메모리보다 250배 이상 많은 용량이다.

　샤프측은 이번에 개발된 기술이 모바일장비에서 방대한 멀티미디어데이터를 저전력으로 자연스럽게 구현하는 데 활용될 수 있으며 향후 하드디스크까지 대체할 수 있을 것이라고 주장했다.

　샤프의 대변인은 “현재 3차원 배열기술을 이용해 메모리셀을 두개층까지 쌓아올리는 데 성공했으며 4∼8층 기술도 개발될 것”이라며 “0.1미크론 공정에 8층 메모리셀을 이용하면 16기가비트 플래시메모리가 가능하다”고 설명했다.

　샤프는 이 기술을 오는 2006년까지 상용화할 계획이다.

　<황도연기자 dyhwang@etnews.co.kr>