삼성전자, 초고속 16Mb QDR S램 개발

　

　삼성전자(대표 윤종용 http://www.sec.co.kr)는 작동 속도가 200㎒에 이르는 16Mb 쿼드데이터레이트(QDR) S램을 개발, 차세대 네트워크 시스템용 메모리시장을 본격 공략한다고 밝혔다.

　2.5V에서 작동하는 이 제품은 이중 데이터 전송능력을 갖춘 두 개의 독립적인 포트로 구성돼 기존 제품 대비 최대 4배의 처리능력을 보일 뿐 아니라 입출력 과정을 분리, 데이터 전송시 충돌을 방지함으로써 정보처리 효율성을 대폭 향상시킨 것이 특징이다.

　또 최근 JEDEC 표준으로 등록된 13×15㎟의 FBGA 패키지 기술을 적용, 크기가 기존 싱크로너스 S램의 절반에 불과해 원가경쟁력이 높고 소형 시스템보드에서도 사용할 수 있다.

　삼성전자는 올해 말부터 이 제품을 양산, 내년에는 세계 QDR S램 시장의 약 30%를 점유한다는 목표를 세워놓고 있으며 향상된 작동주파수와 유효데이터 출력구간을 갖춘 32Mb의 대용량 제품(QDR Ⅱ)도 출시할 계획이다.

　한편 삼성전자·마이크론·싸이프레스·NEC·IDT 등 대표적인 메모리 업체가 결성한 ‘QDR Camp’는 메모리 용량 증가에 대비, 128Mb 제품까지 적용가능한 패키지 표준을 확정했으며 네트워크용 초고속 S램시장의 70% 이상을 QDR S램이 차지할 것으로 기대하고 있다.

<정진영기자 jychung@etnews.co.kr>