SOI(실리콘이중막) 웨이퍼 제조장비 벤처기업서 첫 개발

한 벤처기업이 국내에서 처음으로 실리콘이중막(SOI:Silicon On Insulator) 웨이퍼의 핵심 제조기술을 개발, 사업화하는 데 성공했다.

　비앤피사이언스(대표 최우범 http://www.bnpsci.co.kr)는 최근 개발한 ‘수소 플라즈마 전처리를 통한 표면활성화 기술’을 적용할 수 있는 생산장비를 개발하고 파주에 연간 1만장의 웨이퍼를 생산할 수 있는 양산라인을 구축, 시험가동중이라고 8일 밝혔다. 　

　비앤피사이언스는 국내 대학 및 기업 연구소에 납품해 SOI 웨이퍼를 이용한 소자 개발에 사용하고 있고 국내업체들과 SOI 웨이퍼 공급을 위한 샘플테스트를 진행중이며 올 하반기에는 장비도 수출할 계획이라고 덧붙였다.

　SOI는 국내외 반도체업체들이 활발하게 개발중인 차세대 웨이퍼용 재료로 많은 장점에도 불구, 핵심공정인 접합과정에서 생기는 오염물질로 인한 수율감소와 이로 인한 비용증가로 양산이 더뎠었는데 이번에 국산화된 것이다.

　이 회사는 이번에 개발한 제조기술로 기존에 화학약품을 이용하던 제조기술에 비해 3배 이상 높은 접합 에너지를 가지며 소자의 전기적 특성을 낮추는 탄소 오염물을 효과적으로 제거, 웨이퍼에 실리콘이중막을 입힐 수 있다고 밝혔다.

　회사측은 특히 생산비 절감을 통해 현재 40만∼50만원대의 가격으로 수입되고 있는 4인치 SOI 웨이퍼를 35만원 정도로 저렴하게 만들 수 있다고 설명했다.

　SOI는 웨이퍼 표면과 기층부 사이에 절연층(산화막)을 인위적으로 형성시켜 기층부로부터의 영향을 제거해 절연체 위에 형성된 단결정 실리콘 박막의 가공효율 및 특성을 향상시킨다.

　특히 디바이스의 속도를 30% 이상 향상시키고 전력소모량도 30% 이상 감소시킬 수 있어 저전압 고속소자, 고전력소자, 고온용소자, 내방사성 소자를 비롯한 시스템 집적회로(IC) 등에서 수요가 크게 확대됐으며 최근 D램같은 초고집적회로에도 응용돼 쓰임새가 날로 커지고 있다.

<정진영기자 jychung@etnews.co.kr>