삼성전자, 0.13미크론급 8M 저전력 S램 첫 개발

삼성전자는 업계 최초로 0.13미크론(1㎛은 100만분의 1m)급 초미세공정기술을 적용해 「차세대이동통신(IMT2000)」 단말기용으로 8M 저전력 S램을 개발했다고 19일 밝혔다.

이로써 삼성전자는 1세대 아날로그 휴대폰과 2세대 및 2.5세대 디지털 휴대폰에 이어 3세대인 IMT2000 휴대폰용 S램 시장을 선점하게 됐다.

이번에 개발한 제품은 1마이크로암페어(㎂) 이하의 저소비전류와 2.5V에서 55나노초(㎱)의 고속 데이터 처리능력을 동시에 갖춰 「IMT2000」 휴대폰에 적합하다.

특히 삼성전자는 0.13㎛급 미세공정기술을 업계에서 처음 적용해 기존 제품에 비해 생산성을 50% 향상시켰으며 제품 크기도 30%나 줄였다고 설명했다.

삼성전자는 이 제품의 개발로 95년부터 지켜온 S램 반도체 1위를 8년째 유지할 것으로 기대하면서 올해 말까지 양산준비를 갖춰 내년초부터 본격 양산에 들어갈 계획이다.

이 회사는 내년에는 0.10㎛, 2003년께는 0.08㎛급 S램을 개발해 후발업체와의 격차를 더욱 벌릴 방침이다.

삼성전자는 올해 S램에서 23억달러의 매출을 올려 세계시장의 30%를 점유할 계획이다.

시장조사기관인 데이터퀘스트는 S램의 주 수요처인 휴대폰시장이 올해 5억2000만대에서 2004년 10억대로 커질 것으로 내다봤다.

<신화수기자 hsshin@etnews.co.kr>